Макет страницы
правил отбора для одпофотонныхпереходов (11.146) — (11.149)], переход между состояниями Ф" и Ф' запрещен как «-фотонный электрический дипольный переход, если не выполняется условие
Г'®Г"=>[ГТ (11.186)
и ')
AF = O, ±1, ±2..... ±п. (11.187)
Так как
[Г]ге = ГЧ если п — четное, (11.188)
и
[Г*]" = Г*, если п — нечетное,
то для четных п имеем + -*-*+, —■*-*■— и + <■ / >—, а для
нечетных»--\- ■*->• —, + < / > + и — < / > —.Дополнительные
правила отбора по электронным и колебательным типам симметрии и по вращательным квантовым числам могут быть получены из рассмотренных выше правил отбора для однофотонных переходов.
В комбинационном рассеянии излучение с частотой v (обычно видимый свет) падает на молекулу, находящуюся в состоянии i с энергией В результате двухфотонного процесса молекула переходит в состояние k (энергия которого может быть больше или меньше энергии состояния /) и наблюдается рассеянное излучение с частотой v — v*,-, где hvki = Ек — Ei. Обычно уровни i и k являются колебательно-вращательными уровнями основного электронного состояния молекулы и v ^> |v*,-|. Кроме правил отбора для последовательных дипольных переходов и }-*■ k, для разрешенных переходов в комбинационном рассеянии можно получить более ограниченные правила отбора, привлекая приближение поляризуемости. Это приближение применимо, если i и k относятся к колебательно-вращательным уровням основного электронного состояния, Hv ^> \hVki\ и если энергия возбужденных электронных состояний } намного выше hv. Приближение поляризуемости получается следующим образом. Интенсивность рассеянного излучения в комбинационном рассеянии [94] зависит от интенсивности падающего излучения, от частоты (v — v*,) и от квадрата момента двухфотонного перехода С?4, компоненты которого (а=|, т), £) определяются по формуле (см. формулу (2) в [78])
') Для низких значений F имеются дальнейшие ограничения на значения [см., например, (11.185)].