Макет страницы
лие последнего, аналогичным образом должны влиять на электрокинетические явления и устойчивость ионостабилизированных коллоидов. Это, в частности, проявляется во влиянии электролитов па устойчивость. Значительное повышение концентрации электролита обусловливает снижение скорости электроосмоса или электрофореза и одновременно снижает устойчивость коллоидов.
На основе экспериментов многочисленных исследователей, проведенных с различными золями, было сформулировано правило валентности, известное в литературе как правило Шульце. Чтобы обеспечить коагуляцию золя As2S3 за данное время для одно-, двух-, трехвалентных протпвоионов, необходимы концентрации коагулирующих ионов, относящиеся как 800 : 60 : 1 соответственно. Таким образом, обнаруживается аналогия влияния валентности противо-ионов на устойчивость коллоидов и на ^-потенциал. Наконец, в устойчивости лисфобных коллоидов проявилось специфическое влияние рИ среды, подобно тому, как это имело место для электрокинетических явлений.
§ 5. СТРОЕНИЕ ДВОЙНОГО СЛОЯ
Теория Гуи — Чепмена. Представления о ДС, использованные в теориях электрокинетнческих явлений Гельмгольца и Смолуховского, носил» формальный характер. Они только отражали сам факт перераспределения зарядов между контактирующими фазами, не вскрывая механизма этого явления, и ничего не говорили о пространственном распределении зарядов в ДС. После того, как были установлены возможные механизмы формирования поверхностного заряда, возник вопрос о пространственном распределении компенсирующего слоя ионов. Если в формировании поверхностного заряда существенную роль играет специфика поверхности, проявляющаяся либо в наличии ионогенных групп, либо в специфичности адсорбции ионов, то механизм формирования компенсирующего слоя ионов осуществляется за счет сил электростатического притяжения к поверхностному заряду, т. е. носит общий, физический характер. Поэтому Гуи [32] и независимо от него Чепмен 133] сформулировали этот Еопрос как чисто теоретическую задачу: задан поверхностный заряд, требуется найти пространственное распределение протпвоионов. Их заслуга состояла в том, что они учли важную роль теплового движения в этом явлении и успешно применили аппарат статистической физики.
Теория Гуи — Чепмена является одновременно лрообразом теории электролитов Дебая— Гюккеля, которая, однако, была развита десятилетием позже. В отличие от потенциалопределяющих ионов, для которых характерно сильное специфическое взаимодействие с поверхностью, противоионы даже при сближении с поверхностью взаимодействуют с пей обычно только электростатически. Поскольку они часто сольватированы, расстояние их наибольшего сближения
